IR LED:t & valotransistorit

IR204-A IR lähetin LED, 940 nm, 3mm Vf typ. 1.2V If 20mA säteilykulma 35 astetta linssin väri sininen optinen teho 4...350mW/sr... 

SIR204-A IR lähetin LED 3mm, aallonpituus 875 nm Vf typ. 1.3V If 20mA säteilykulma 30º   

HIR204/HO IR lähetin LED, 850nm, 3mm Vf typ. 1.5V If 20mA aallonpituus 850nm säteilykulma 40º linssin väri keltainen... 

L53F3BT IR lähetin LED, 940nm, 5mm aallonpituus 940nm Vf typ. 1.2V If 20mA säteilykulma 30º linssin väri sininen     

L53F3C IR lähetin LED, 940nm, 5mm aallonpituus 940nm Vf typ. 1.6V If 20mA säteilykulma 20º optinen teho 30mW/Sr linssin väri water clear   

LL-503SIR IR lähetin LED 850nm 5mm aallonpituus 850nm Vf typ. 1.45V If 20mA säteilykulma 45º optinen teho 16mW/Sr linssin väri water clear       Vf typ. 1.5V, 45º. 

TSAL5100 supertehokas GaAs/GaAlAs IR lähetin LED, 5mm. aallonpituus 940nm Vf typ. 1.35V If 100mA säteilykulma 10º optinen teho 130mW/Sr linssin väri sininen   

TSAL6200 supertehokas IR lähetin LED GaAs / GaAlAs, 5mm. aallonpituus 940nm Vf typ. 1.6V If 100mA säteilykulma 17º optinen teho 72mW/Sr linssin väri sininen... 

SFH 309-4 IR photo transistori 3mm, toimii myös näkyvän valon alueella. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35 V Current - Collector (Ic) (Max) 15 mA Current - Dark (Id) (Max) 200 nA Wavelength 860nm Viewing Angle 24° Power - Max 165... 

Valoelementin tyyppi fototransistori LEDin diodin halkaisija 5mm Huippuherkkyyden pisteen aallonpituus 940nm Kollektori-emitteri jännitteet 30V Näkökulma 30° Diodin linssi läpinäkyvä, sininen Asennus THT Tummavirta 0,1µA  Tehonkesto 100mW... 

Product: Phototransistors Package/Case: Sidelooker Mounting Style: Through Hole Peak Wavelength: 935 nm Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V Collector-Emitter Breakdown Voltage: 30 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV Dark Current: 100 nA Pd - Power Dissipation: 100... 

Product: PIN Photodiodes Mounting Style: Through Hole Peak Wavelength: 950 nm Dark Current: 2 nA Vr - Reverse Voltage: 60 V Rise Time: 100 ns Fall Time: 100 ns Half Intensity Angle Degrees: 65 deg Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 100... 

MRD14B NPN darlington transistori, erittäin herkkä näkyvälle valolle. Kannalle oma jalka "pakko-ohjausta varten, läpinäkyvä TO-92 kotelo. Light current typically 2uA, VCE 12V, dark current max. 100 nA...